Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 7: Kohlenstoff/Diamant
HL 7.4: Talk
Monday, March 24, 2003, 13:15–13:30, BEY/154
Hochdosis Si implantation in Diamant: Synthese von vergrabenen Siliziumkarbid-Nanokristallen — •Hannes Weishart1, Viton Heera1, Frank Eichhorn1, Wolfgang Skorupa1, Bela Pecz2 und Arpad Barna2 — 1Forschungszentrum Rossendorf, Postfach 510119, D-01314 Dresden — 2Research Institute for Technical Physics and Materials Science, H-1525 Budapest, Hungary
Aufgrund ihrer hervorragenden Eigenschaften, wie große Bandlücke, hohe thermische Leitfähigkeit und gesättigte Elektronendriftgeschwindigkeit, sind sowohl Siliziumkarbid als auch Diamant vielversprechende Halbleitermaterialien für elektronische Bauelemente, die unter extremen Bedingungen noch einwandfrei funktionieren sollen. Allerdings ist es bislang noch nicht gelungen, Diamant in zufrieden stellender Weise mit flachen Donatoren zu versehen. Im Gegensatz hierzu ist die p-Dotierung von Siliziumkarbid noch nicht befriedigend gelöst. Da aber sowohl p-leitender Diamant, als auch n-leitendes SiC sehr einfach zu realisieren sind, könnten Heterostrukturen aus diesen so dotierten Materialien erfolgversprechend sein.
Frühere Experimente haben gezeigt, dass eine Hochdosisimplantation von Si in Diamant zur Bildung von ß-SiC führen kann. In dieser Arbeit wurden die Leitfähigkeit und strukturellen Eigenschaften von Diamantproben untersucht, die mit Si-Dosen im Bereich von 3 × 1017 cm−2 bis 1 × 1018 cm−2 bei 900 C implantiert worden sind. Der Einfluß des Implantationsschadens wurde anhand von Vergleichsproben studiert, die mit Ar implantiert wurden.