Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

M: Metallphysik

M 26: Nanoskalige Materialien I

M 26.5: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 15:45–16:00, IFW D

Atomare Struktur von amorphen Si-(B)-C-N Precursorkeramiken nach isothermem Anlassen — •K. J. Reichle¹, A. A. Rempel^1,2, K. Reimann¹, W. Sprengel¹ und H.-E. Schaefer¹ — ¹Institut für Theoretische und Angewandte Physik, Universität Stuttgart, 70550 Stuttgart — ²Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ekaterinburg, Russland

In den hochtemperaturstabilen Keramiken aus kondensierten molekularen Vorstufen im System Si-B-C-N wurde mit der Positronenzerstrahlungsspektroskopie die Entwicklung freier Volumen nach isothermem Anlassen untersucht. Sowohl in der ternären SiC_1,6N_1,3-Keramik als auch in der quaternären Si₃BC_4,3N₂-Keramik wurden freie Volumen mit einer Größe von 10 bis 20 fehlenden Atomen entsprechend der gemessenenen Positronenlebensdauer von τ=470 ps gefunden, deren Instensität mit zunehmender Anlasstemperatur bis 2000 ^∘C und zunehmender Anlassdauer bis 102 h abnimmt. Gleichzeitig wurde das Auftreten und die Zunahme von kleineren freien Volumen (1-5 fehlende Atome) beobachtet. Mit der koinzidenten Dopplerverbreiterung wurde die chemische Umgebung analog zu Untersuchungen in SiC [1] bestimmt. Mit gleichzeitigen Messungen der Röntgenbeugung und der Dichte wird die Verbindung zum Kristallisationsprozess und zur Verdichtung hergestellt.

[1] A. A. Rempel, W. Sprengel, K. Blaurock, K. J. Reichle, J. Major und H.-E. Schaefer, Phys. Rev. Lett. 89(18), 185501 (2002)