Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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M: Metallphysik

M 29: Nanoskalige Materialien III

M 29.4: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 15:30–15:45, IFW A

Analyse nanokristalliner Cu-Bi Schichten — •Daniel Wolde-Giorgis, Talaát Al-Kassab und Reiner Kirchheim — Institut für Materialphysik, Hospitalstr. 3-7, 37073 Göttingen

Das Segregationsverhalten von Bi in nanokristallinen Cu-Schichten wurde mit Hilfe der Tomographischen Atomsonde (TAP) und der Feldionenmikroskopie (FIM) untersucht. Die untersuchten Schichten wurden mittels Sputterdeposition auf W-Substraten deponiert. Diese Substrate haben die Form feiner Spitzen mit einem Krümmungsradius von ca. 100nm. Mit Hilfe einer Kaufmann Ar-Ionenquelle in Verbindung mit einem Cu/Bi-Verbundtarget kann bei hohen Depositionsraten eine nanokristalline Schicht eingestellt werden. FIM-Analysen bestätigen die nanokristalline Struktur des aufgesputterten Materials. TAP-Analysen zeigen eine erhöhte Konzentration von Bi. Dieser Wert liegt zwei Größenordnungen über der Gleichgewichtslöslichkeit von Bi in Cu, sie beträgt bei 577K ca. 100ppm. Diese stark übersättigten Cu/Bi-Zwangslegierungen sind daher ideale Modellsysteme um mikrostrukturelle Entwicklung zu untersuchen, welche durch die Segregation von Fremdatomen an Korngrenzen beeinflusst wird.