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M: Metallphysik
M 9: Quasikristalle III
M 9.1: Talk
Monday, March 24, 2003, 14:45–15:00, IFW B
Diffusion von Ga in D-AlNiCo und von 65Zn in I-ZnMgY — •Robert Galler1, Stefan Flege2, Eckhard Uhrig3, Peter Schall4 und Helmut Mehrer1 — 1Institut für Materialphysik, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, 48149 Münster — 2TU Darmstadt, FB Material- und Geowissenschaften, FG Chemische Analytik, Petersenstraße 23, 64287 Darmstadt — 3Physikalisches Institut, Johann Wolfgang Goethe-Universität Frankfurt, Robert-Mayer-Straße 2, 60054 Frankfurt — 4früher: Institut für Mikrostrukturforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich, Germany; jetzt: Gordon Mckay Lab, Harvard University, 9 Oxford Street, Cambridge, MA 02138, U.S.A.
Die Diffusion von Ga in einkristallinen dekagonalen AlNiCo Quasikristallen wurde mit der Tracermethode untersucht. Die Eindringprofile der Isotope 69Ga und 71Ga wurden mittels SIMS bestimmt. Die Ergebnisse werden mit früheren Ergebnissen zur Selbstdiffusion von Co und Ni in D-AlNiCo sowie Ga-Diffusion in Al und I-AlPdMn diskutiert.
Weiterhin wurde die Diffusion von 65Zn in ikosaedrischen ZnMgY Quasikristallen mit der Radiotracermethode untersucht. Die Profilanalyse erfolgte je nach Eindringtiefe durch Präzisionsschleifen oder Sputtern. Im untersuchten Temperaturbereich findet man eine lineare Arrheniusbeziehung mit Q = 157 kJmol−1. Wir diskutieren die aktuellen Daten mit früheren Messungen in I-ZnMgHo und Zn-Selbstdiffusion. Weiterführende Experimente zur 65Zn Diffusion in ZnMgY-Approximanten sind in Vorbereitung.