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MA: Magnetismus
MA 14: Poster: Schichten(1-31), Spinabh.Trsp.(32-47), Exch.Bias(48-54), Spindyn.(55-64), Mikromag.(65-76), Partikel(77-88), Oflmag.(89-92), Spinelektr.(93-98), Elektr.Theo.(99-103), Mikromag+PhasÜ+Aniso.(104-122), MagnMat.(123-134), Messm+Mol-Mag.(135-139), Kondo(140-151)
MA 14.136: Poster
Dienstag, 25. März 2003, 15:15–19:15, Zelt
Nutzung des Magneto-Impedanzeffektes für Dünnfilm-Magnetfeldsensoren — •C. Bethke, H. Yakabchuk, V. Tarasenko, H. Hammer und E. Kisker — Institut für Angewandte Physik, Heinrich-Heine Universität Düsseldorf, 40225 Düsseldorf
Extrem empfindliche Magnetfeldsensoren lassen sich auf der Basis des
Magneto-Impedanz(MI) Effektes realisieren. Hierbei wird der
Wechselspannungsabfall am Sensor als Funktion des angelegten externen
Magnetfeldes bei gegebenem HF-Strom gemessen. Dieser Effekt liegt in einer
Größenordnung von 10-100%/Oe (GMI) und kann zum Messen extrem
kleiner
Felder (bis zu 10−6Oe) genutzt werden. Die Zahl der möglichen
Anwendungen in der Sensorik ist daher enorm.
Während die ersten
komerziellen MI Sensoren (Fa. Aichi MI) mit weichmagnetischen, amorphen
Drähten realisiert sind, nutzen wir gesputterte FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB
bzw.
CoFeSiB/Cu/CoFeSiB Schichtsysteme. Die Möglichkeit, aufgrund dieser
Geometrie longitudinale und transversale MI-Effekte zu unterscheiden [1]
und
die Abwesenheit eines polaren MI-Effekts bieten große Vorteile bei der
Realisierung von Richtungssensoren und zur Detektion magnetischer Partikel.
Wir haben die magnetische Struktur mit Hilfe von MOKE-Mikroskopie
untersucht
und diskutieren die Zusammenhänge von magnetischer Struktur und
gemessenem
MI Effekt. Sich daraus ergebende Sensorkonzepte werden vorgestellt.
Gefördert vom BMBF, FKZ 13N8128.
[1] S.Q. Xiao,Y.H. Liu,S.S. Yan, et al., Phys. Rev. B 61, 5734, (2000)