Dresden 2003 – scientific programme

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MA: Magnetismus

MA 14: Poster: Schichten(1-31), Spinabh.Trsp.(32-47), Exch.Bias(48-54), Spindyn.(55-64), Mikromag.(65-76), Partikel(77-88), Oflmag.(89-92), Spinelektr.(93-98), Elektr.Theo.(99-103), Mikromag+PhasÜ+Aniso.(104-122), MagnMat.(123-134), Messm+Mol-Mag.(135-139), Kondo(140-151)

MA 14.34: Poster

Tuesday, March 25, 2003, 15:15–19:15, Zelt

Kontakt-Arrays aus magnetischen Tunnelelementen hergestellt durch Elektronenstrahllithographie — •Karsten Rott, Hubert Brückl, Andi Thomas und Günter Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, D-33615 Bielefeld

Als einen der wesentlichen Vorteile der Verwendung von magnetischen Tunnelelementen in magnetischen Speichern (MRAM) wird die höchste Integrierbarkeit genannt. Wir haben Arrays von je 4, 9 und 16 magnetischenTunnelelementen mit lateralen Abmessungen im Mikrometerbereich in einem Mehrschrittprozess mit Elektronenstrahllithographie hergestellt. Die Tunnelelemente bestehen aus einem MnIr/CoFe/Al-Oxid/Py Schichtsystem, welches bei Raumtemperatur einen TMR von bis zu 45% zeigt Die ellipsenförmigen Zellen sind zwischen sich kreuzenden Leiterbahnen angeordnet. Einzelne Zellen der Arrays können gezielt durch Magnetfelder von Strömen durch zusätzlich über den Elementen aufgebrachten Leiterbahnen geschaltet werden.

Das Schaltverhalten einzelner Zellen und das Übersprechen benachbarter Zellen in den Arrays wurde untersucht. Numerische Abschätzungen hierzu zeigen die Grenzen der Integrierbarkeit.