Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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MA: Magnetismus

MA 14: Poster: Schichten(1-31), Spinabh.Trsp.(32-47), Exch.Bias(48-54), Spindyn.(55-64), Mikromag.(65-76), Partikel(77-88), Oflmag.(89-92), Spinelektr.(93-98), Elektr.Theo.(99-103), Mikromag+PhasÜ+Aniso.(104-122), MagnMat.(123-134), Messm+Mol-Mag.(135-139), Kondo(140-151)

MA 14.35: Poster

Dienstag, 25. März 2003, 15:15–19:15, Zelt

Herstellung niederohmiger Tunnelbarrieren für magnetische Tunnelelemente — •Maik Justus¹, Hubert Brückl¹, Günter Reiss¹, Jürgen Langer², Berthold Ocker² und Wolfram Maaß² — ¹Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, D-33615 Bielefeld — ²Singulus Technologies AG, Hanauer Landstrasse 103, D- 63796 Kahl/Main

Für die Anwendung von magnetischen Tunnelelementen in Speichern (MRAM) sind Tunnelbarrieren mit Flächenwiderständen in der Größenordnung von 10kΩµ m² Voraussetzung. Wir haben eine neuartige Plasmaquelle entwickelt, die sich durch einen sehr einfachen Aufbau auszeichnet. Diese Quelle generiert sehr niederenergetische Ionen, womit auch dünnste Aluminiumschichten oxidiert werden können. Durch Variation der Prozessparamater sind die Oxidation sowohl von dicken als auch dünnen Aluminiumschichten möglich. Der Flächenwiderstand kann somit zwischen 10kΩµ m² und 100MΩµ m² gewählt werden. Die TMR Amplitude bei Raumtemperatur für MnIr/CoFe/Al-Oxid/Py Schichtsysteme liegt dabei zwischen 40 und 50%. Die Barrierenparameter (mittlere Höhe, effektive Dicke, Asymmetrie) wurden für diese Tunnelelemente bestimmt und mit anderen Oxidationsverfahren verglichen.