Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
MA: Magnetismus
MA 17: Magnetische Dünne Schichten II
MA 17.9: Vortrag
Mittwoch, 26. März 2003, 18:00–18:15, HSZ/04
Antiferromagnetische Austauschkopplung an epitaktischen Fe/Si/Ge/Si/Fe Schichtsystemen — •Heiko Braak, R.R. Gareev, D.E. Bürgler, M. Buchmeier und P.A. Grünberg — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich
Starke antiferromagnetische Kopplung über epitaktisches Si mit Kopplungsstärken bis zu 6 mJ/m2 waren Anlass, weitere Halbleiter als Zwischenschicht zu untersuchen. Die mit MBE im UHV produzierten Schichten mit reinem Ge als Zwischenschicht zeigten weder epitaktisches Wachstum noch Kopplung. Durch Einfügen von FeSi Diffusionsbarrieren an den Grenzflächen zum Fe gelang es, ein epitaktisches Schichtsystem zu erstellen.
Mit
MOKE
(Magneto-Optische Kerr-Effekt) und BLS (Brillouin-Licht-Streuung) wurden
die
bilinearen (J1) und biquadratischen (J2) Kopplungskonstanten
numerisch
extrahiert. Bis zu einer nominellen Ge-Schichtdicke von 4Å dominiert
antiferromagnetische Kopplung (Jtotal≤1mJ/m2). Das
Verhältnis
von J2/J1 nimmt mit der Schichtdicke zu, so dass ab 6Å die
90*-Kopplung überwiegt. Für Schichtdicken >10Å konnte keine
Kopplung
beobachtet werden.
Somit übermittelt Germanium mit FeSi
Interdiffusionsbarrieren antiferromagnetische Kopplung mit maximal
1mJ/m2
und einer Abklinglänge von 1,5Å für J1.