Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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MA: Magnetismus

MA 25: Spinabh
ängige Transportph
änomene I

MA 25.4: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 16:00–16:15, HSZ/04

Vollständig oxidische und vollständig amorphe TMR- Systeme — •Yuansu Luo, Andrea Käufler, Markus Esseling und Konrad Samwer — I.Phys. Institut, Universität Göttingen, Bunsenstr. 9, 37073 Göttingen

Für FM/I/FM- Tunnelkontakte spielen Grenzflächenzustände eine entscheidende Rolle und können zweckmäßig durch mikrostrukturelle und chemische Anpassung beeinflusst werden. Bei vollständig oxidischen Systemen, in denen alle Lagen aus Sauerstoffverbindungen bestehen, wird beispielsweise die Sauerstoffempfindlichkeit reduziert. Bei vollständig amorphen Systemen führt hingegen die strukturelle Kohärenz zur Verbesserung der Grenzflächenrauhigkeit und deren Korrelation. Aus diesem Grund wurden TMR- Messungen an entsprechenden Systemen durchgeführt, wobei die magnetischen Oxide La_0.7Ca_0.3MnO₃ und CoFeHfO (amorph), sowie ein CoFeNi- basiertes metallisches Glas als Elektroden und amorphes Al₂O₃ als Barriere verwendet wurden. Erste Ergebnisse zeigen für vollständig oxidische Systeme einen TMR- Effekt von 65 % (40 K) mit LCMO, 10 % (200 K) mit CoFeHfO und 28 % (300 K) für vollständig amorphe Systeme.