Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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MA: Magnetismus

MA 29: Mikro- und nanostrukturierte Materialien II

MA 29.5: Vortrag

Freitag, 28. März 2003, 11:45–12:00, HSZ/03

Magnetowiderstand nanostrukturierter magnetischer Leiterbahnen bei tiefen Temperaturen — •Mario Brands, Britta Hausmanns und Günther Dumpich — Exp. Tieftemperaturphysik, Institut für Physik, Fakultät IV, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, 47057 Duisburg

Es wurden Widerstandsmessungen an dünnen Cobalt Leiterbahnen in Abhängigkeit der Temperatur (T = 1.5 K bis T = 20K) und eines senkrecht zur Leiterbahn angelegten Magnetfeldes (bis B = 4.5T) durchgeführt. Die Leiterbahnen wurden mittels Elektronenstrahllithografie (EBL) auf GaAs Substraten hergestellt und haben eine Schichtdicke von t = 32 nm bei einer Länge von bis zu 400 nm. Die Leiterbahnbreiten wurden zwischen w = 200 nm und w = 2000 nm variiert. Mit Hilfe von transmissionselektronenmikroskopischen Untersuchungen konnte gezeigt werden, dass das Cobalt polykristallin ist mit einer mittleren Korngrösse von φ = 7 nm ± 1 nm und vorwiegend in hexagonal dichtester Packung vorliegt. Der Magnetowiderstand ist negativ und kann ursächlich auf den Anisotropen Magnetowiderstand (AMR) zurückgeführt werden. Bei der temperaturabhängigen Messung zeigt der Widerstand einen magnetfeldunabhängigen, logarithmischen Anstieg zwischen T = 1.5K und T = 7K. Wir interpretieren dies als einen Indikator für erhöhte Elektron-Elektron Wechselwirkung (EEI) in zwei Dimensionen.
Diese Arbeit wird gefördert von der DFG in Rahmen des SFB491.