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MA: Magnetismus

MA 7: Spin-Elektronik

MA 7.10: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 17:30–17:45, HSZ/401

Magnetische und elektrische Charakterisierung von Ni₂MnIn-Filmen auf Silizium und Indiumarsenid. — •Malte Kurfiß, Sebastian von Oehsen, Christian Pels, Guido Meier, Rainer Anton und Ulrich Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg

Heusler-Legierungen sind für die Spintronik mit Halbleitern als Quelle spinpolarisierter Elektronen von großem Interesse. Ni₂MnIn wächst gitterangepasst auf InAs [1], und theoretische Untersuchungen sagen für eine InAs/Ni₂MnIn Grenzfläche eine vollständige Spinpolarisation voraus [2]. Wir haben dünne Schichten der ternären Legierung unter Ultrahochvakuumbedingungen durch simultanes Aufdampfen der Komponenten und durch DC Sputtern von einem stöchiometrischen Target hergestellt. Als Substrate verwenden wir InAs, Silizium und amorphen Kohlenstoff. Durch optische Lithographie konnten Strukturen im Mikrometerbereich realisiert werden. Die Stöchiometrie wird mit Röntgenspektroskopie im Raster- und Transmissionselektronenmikroskop kontrolliert. Durch Elektronen- und Röntgenbeugung wird die Kristallstruktur überprüft. Die magnetische Charakterisierung wird mit einem SQUID Magnetometer durchgeführt. Die Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit haben wir in Vierpunktmessungen bestimmt. Außerdem soll mittels Punktkontakt Andreev-Spektroskopie die Spinpolarisation gemessen werden.

[1] J.Q. Xie, J.W. Dong, J. Lu, C.J. Palmstrøm, S. McKernan, Appl. Phys. Lett. 79, 1003 (2001)

[2] K.A. Kilian, R.H. Victora, IEEE Trans. Magn. 37(4), 1976 (2001)