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MA: Magnetismus

MA 7: Spin-Elektronik

MA 7.8: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 17:00–17:15, HSZ/401

Hohe Spinpolarisation an der Fe/InAs(110) Grenzfläche — •Lilli Sacharow¹, Markus Morgenstern¹, Gustav Bihlmayer², Stefan Blügel² und Roland Wiesendanger¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg; — ²Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

Die elektronischen Eigenschaften der Fe-Monolage auf InAs(110) wurden mit der FLAPW-Methode unter der Verwendung der Dichtefunktionaltheorie berechnet. Nach der Relaxation nimmt das Fe-Atom eine Position in der Mitte eines aus zwei As- und einem In-Atom bestehenden Dreiecks ein. Es zeigt sich, daß die Bindung von Fe-Atomen an die InAs(110)-Oberfläche zum größten Teil durch die Wechselwirkung von dehybridisierten In und As Zuständen mit Fe d-Orbitalen bestimmt ist. Insbesondere trägt die Zustandsdichte an der Fermikante den Charakter einer Singlett-Bindung zwischen den Fe d_xy-, d_zy-Minoritätsbändern und As p_x-, In sp_x-Orbitalen. Das führt zu einer 80-prozentigen Spinpolarisation an der Fermikante mit unterschiedlichem Vorzeichen auf der InAs- bzw. der Fe-Seite. In das InAs Volumen hinein zeigt die Spinpolarisation eine gedämpfte Oszillation mit der Periode der InAs-Einheitszelle.