Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Grenzfl
äche fest-flüssig

O 11.6: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 16:15–16:30, M\"UL/ELCH

In situ 3D-Abbildung der galvanischen Kupferabscheidung mit einem optischen Interferenzmikroskop — •Mustafa Sanalan und Ulrich Memmert — Atotech Deutschland GmbH, 10507 Berlin

Die Entwicklung der Oberflächentopographie galvanisch abgeschiedener metallischer Schichten kann durch die Zugabe von Badzusätzen gesteuert werden. Eine in Situ Abbildung des Wachstumsprozesses erlaubt eine schnelle Bestimmung der Effektivität von Badzusätzen. In Rahmen dieser Arbeit wurde ein optisches Interferenzmikroskop so modifiziert, dass in Situ Abbildungen von Oberflächen während der Abscheidung mit einer lateralen Auflösung im Mikrometerbereich und einer vertikalen Auflösung im Nanometerbereich möglich sind. Dieser Aufbau wurde verwendet, um die galvanische Kupferabscheidung auf einem Kupfersubstrat in Situ zu verfolgen. Dazu wurde auf einer polykristallinen Kupfer-Elektrode aus einem sauren Kupferbad galvanostatisch Kupfer abgeschieden (mit oder ohne Elektrolyt-Durchfluss) und die Topographie der Elektroden-Oberfläche während der Metall-Abscheidung verfolgt. Der Einfluss von Additiven auf die zeitlichen Entwicklung der Rauhigkeit wird diskutiert.