Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 12: Postersitzung (Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Grenzfl
äche fest-flüssig, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Rastersondentechniken, Methodisches)

O 12.25: Poster

Montag, 24. März 2003, 18:00–21:00, P1

Herstellung und optische Eigenschaften von Siliziumnanoteilchen auf Quarzsubstraten — •A. Wojtas-Hudy, F. Hubenthal und F. Träger — Fachbereich Physik und Center for Interdisciplinary Nanostructure Science and Technology - CINSaT, Universität Kassel, Heinrich-Plett-Straße 40, D-34132 Kassel

Wir stellen hier eine Methode zur Präparation von Siliziumnanoteilchen auf dielektrischen Substraten vor. Die Herstellungsmethode besteht aus selbstorganisiertem Wachstum (Volmer-Weber-Modus) der Siliziumnanoteilchen. Bei Präparation der Partikel sind Atomfluß, Substrattemperatur und Bedampfungszeit wichtige Parameter. Wir haben den Einfluß von Bedampfungszeit, Atomfluß von Silizium und Substrattemperatur (von 650 K bis 1100 K) bei konstanter Bedeckung (15ML = 4,05· 10¹⁶ Atomen/cm²) untersucht.
  Die Charakterisierung der Teilchen erfolgte durch Extinktionsspektroskopie und Rasterkraftmikroskopie. Die optischen Spektren zeigen eine bereits bei niedriger Substrattemperatur deutliche Verschiebung des Maximums zu größeren Photonenenergien, d.h. von 3,88 eV bis 5,36 eV, mit zunehmendem Atomfluß. Bei 650 K Substrattemperatur sind die Spektren charakteristisch für amorphe Schichten und zeigen ein breites Maximum mit einer bis in den infraroten Spektralbereich reichenden Flanke. Dies zeigt, daß schon bei niedriger Substrattemperatur der Atomfluß einen Einfluß auf die Kristallinität der Nanostrukturen hat. Um zusätzliche Informationen über die Kristallinität der hergestellten Proben zu bekommen, haben wir Raman-Spektroskopie angewandt.