Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 12: Postersitzung (Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Grenzfl
äche fest-flüssig, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Rastersondentechniken, Methodisches)

O 12.41: Poster

Montag, 24. März 2003, 18:00–21:00, P1

Hochgeschwindigkeits-Rasterkapazitätsspektroskopie an Halbleitermikrostrukturen - Lokalisierung von pn-Übergängen — •Martin von Sprekelsen, Johannes Isenbart und Roland Wiesendanger — Universität Hamburg, Institut für Angewandte Physik, Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstrasse 11, 20355 Hamburg

Die Rasterkapazitätsmikroskopie (SCM) hat sich bei der Entwicklung, Kontrolle und Fehleranalyse von Halbleiterbauelementen als leistungsfähiges und zuverlässiges Verfahren zur Analyse zweidimensionaler Dotierungsprofile etabliert. Übliche Messverfahren können derzeit Ladungsträgerkonzentrationen bei konstanter Probenbiasspannung abbilden und erlauben Rückschlüsse auf die zugrundeliegenden Dotierungsprofile. Stets vorhandene Effekte wie Aufladung der Probenoberfläche, spannungsabhängige Orts- und Dotierungsauflösung usw. erschweren die Interpretation der bei fester Biasspannung gewonnenen Messdaten. Um die Dotierungs- und Ortsauflösung zu verbessern, werden bei der Hochgeschwindigkeits-Rasterkapazitässpektroskopie vollständige Kapazitäts-Spannungs-Kurven gemessen. Diese werden unter Umgebungsbedingungen gewonnen.

Herkömmliche Rasterkapazitätsmessungen und zweidimensionale Darstellungen der Spektroskopiedaten werden verglichen. Das benutzte Verfahren zur möglichst genauen Bestimmung der Lage von p-n-Übergängen aus gemessenen C(V)-Kurven wird vorgestellt und auf die gezeigten Messungen beispielhaft angewandt.