Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 15: Elektronische Struktur III

O 15.1: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 11:15–11:30, HSZ/02

Photoemission an MnSi-Schichten auf Si(111) — •Jens Paggel¹, K. Schwinge¹, P. Fumagalli¹, T. Miller² und T.-C. Chiang² — ¹Freie Universität Berlin, Institut f. Experimentalphysik, 14195 Berlin — ²Department of Physics and Frederick-Seitz Material Research Laboratory, Univ. of Illinois, 61801 Urbana-Champaign

Die Deposition von dünnen Mn-Schichten auf verschiedenen Si(111)-Oberflächen führt zum Wachstum von glatten Filmen, deren chemische Komposition nicht einfach zu verstehen ist. Rumpfniveau- und Valenzbandphotoemission wird in diesem Beitrag verwendet, um Information über die elektronischen Eigenschaften des strukturell sehr interessanten Systems zu gewinnen. Rumpfniveauspektren am Si2p-Niveau zeigen eine einfache Linienform mit nur einer klaren Oberflächenkomponente. Das Valenzband der metallischen Mn-Silizid-Filme zeigt eine Vielzahl von Strukturen, deren Dispersion mittels winkelaufgelöster Photoemission vermessen wurde. Resonante Photoemission am Si2p-Rumpfniveau kann den Beitrag des Siliziums zum Valenzbandspektrum identifizieren. Das komplementäre Experiment am Mn3p-Rumpfniveau kann wegen des zu geringen Wirkungsquerschnitts für die Mn3p-Photoionisation auch mit moderner Ausrüstung noch nicht durchgeführt werden.