Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 15: Elektronische Struktur III

O 15.8: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 13:00–13:15, HSZ/02

Elektronische Struktur von Stapelfehlerinseln auf Ir(111) — •Carsten Busse¹, Stéphanie Baud², Ansgar Petersen¹, Gustav Bihlmayer³, Celia Polop¹, Stefan Blügel³ und Thomas Michely¹ — ¹I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen — ²Laboratoire de physique moléculaire, UMR CNRS 6624, Université de Franche-Comté, F-25030 Besançon, Frankreich — ³Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Rastertunnelmikroskopische (STM) Untersuchungen des homoepitaktischen Wachstums auf Ir(111) zeigen homogene Nukleation von Inseln, in denen nicht die reguläre Stapelfolge des kubisch-flächenzentrierten (fcc) Gitters fortgesetzt wird, sondern eine lokale hexagonal-dichtgepackte (hcp) Geometrie vorliegt. Für Bedeckungen nahe einer Monolage kann die hcp-Phase anhand von atomaren Dekorationslinien an den Phasengrenzen identifiziert werden. Diese Reihen sind stets in ⟨ 110 ⟩ - Richtungen orientiert.

Simultane STM-Messungen von fcc- und hcp-Gebieten zeigen einen scheinbaren, spannungsabhängigen Höhenunterschied von bis zu 6% des Lagenabstandes. Für nicht zu hohe Tunnelspannungen besitzt das Stapelfehlergebiet die geringere scheinbare Höhe. Mittels ab initio Dichtefunktionalrechnungen kann die Spannungsabhängigkeit des Höhenunterschieds auf die Differenz der Zustandsdichten der beiden Phasen am Ort der Tunnelspitze zurückgeführt werden. Die kleinere Höhe des hcp-Gebietes im STM-Bild verhält sich umgekehrt zur tatsächlichen Relaxation.