Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 20: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen

O 20.2: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 15:15–15:30, FOE/ANOR

Initielle Strukturbildungsprozesse an photoelektrochemisch modifiziertem Si(111): Eine kombinierte AFM und PES Studie. — •E. Gonçalves, H. Jungblut, J. Jakubowicz und H. J. Lewerenz — Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin

Die Frühstadien der pörosen Silizium Bildung werden mit oberflächen-analytischen Methoden im Bereich atomarer Dimensionen charakterisiert.

Die mit der photoassistierten Auflösung von Silizium verbunden morphologisch-chemischen Veränderungen werden mit AFM und Photoelektronenspektroskopie unter Verwendung von Synchrotronstrahlung (SRPES) verfolgt.

Die chemische Analyse der Oberflächezusammensetzung mittels SRPES bestätigt z.T. gegenwärtige Modelle; AFM Daten zeigen im Gegensatz zu der Modellvorstellung Lochbildung mit Tiefen im Monolagenbereich.