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O: Oberflächenphysik
O 20: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen
O 20.3: Vortrag
Dienstag, 25. März 2003, 15:30–15:45, FOE/ANOR
Einfluss von Oberflächendefektphasen auf die Grenzflächeneigenschaften von Chalkopyrithalbleitern — •Thomas Schulmeyer1, Andreas Klein1, Robert Kniese2 und Michael Powalla2 — 1Technische Universität Darmstadt, Institut für Materialwissenschaft, 64287 Darmstadt — 2Zentrum für Sonnenenergie und Wasserstoffforschung, 70565 Stuttgart
Die Grenzfläche zwischen Cu-Chalkopyrithalbleitern (Cu(In,Ga)Se2: CIGS) und CdS bestimmt maßgeblich den Wirkungsgrad von CIGS-Dünnschichtsolarzellen. Die Oberfläche von CIGS Schichten zeigt im allgemeinen eine Cu Verarmung, die nach theoretischen Vorhersagen zu einer Reduktion des Valenzbandoffsets führen sollte [1]. Um die Vorhersage zu testen haben wir systematisch die Bandanpassung an Grenzflächen von II-VI Halbleitern (ZnX, CdX: X = S, Se, Te) mit Cu-armen CIGS Oberflächen mittels Photoemission (XPS, UPS) untersucht. Die CIGS Oberflächen wurden dabei durch Abheizen von Se-Deckschichten in der UHV-Anlage präpariert. Die experimentell bestimmten Bandanpassungen werden mit den theoretischen Vorhersagen sowie mit Vergleichsdaten an CIGS Einkristallen verglichen.
[1] S.-H. Wei und A. Zunger, J. Appl. Phys. 78, 3846 (1995)