Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 20: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen

O 20.6: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 16:15–16:30, FOE/ANOR

Oberflächen- und Grenzflächeneigenschaften von GaSe terminiertem Si(111) — •Thomas Schulmeyer, Rainer Fritsche, Bengt Jaeckel, Andreas Klein und Wolfram Jaegermann — Technische Universität Darmstadt, Institut für Materialwissenschaft, 64287 Darmstadt

Die Oberflächenterminierung von Si(111) durch eine Halblage des Schichtgitterhalbleiters GaSe führt zu einer chemischen und elektronischen Passivierung der Oberfläche, die bis zu 500^∘C stabil ist. In diesem Beitrag werden unterschiedliche Verfahren zur Präparation der Si(111):GaSe Oberfläche vorgestellt und hinsichtlich ihrer Qualität anhand von LEED und hochauflösender Photoemission bewertet. Weiterhin wird die Bildung der Si(111):GaSe/Au Schottky Barriere vorgestellt. Diese ist charakterisiert durch eine deutliche Unterdrückung der Si/Au Grenzflächenreaktion. An der Grenzfläche liegt das Ferminiveau am Valenzbandmaximum des Siliziums, was einer Modifizierung der Barrierenhöhe um 300 meV gegenüber der nicht terminierten Oberfläche entspricht.