O 20: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen
Dienstag, 25. März 2003, 15:00–17:45, FOE/ANOR
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15:00 |
O 20.1 |
Determination of adatom diffusion barriers on InP(110) surfaces from desorption experiments — •Philipp Ebert, Ulrich Semmler und Knut Urban
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15:15 |
O 20.2 |
Initielle Strukturbildungsprozesse an photoelektrochemisch modifiziertem Si(111): Eine kombinierte AFM und PES Studie. — •E. Gonçalves, H. Jungblut, J. Jakubowicz und H. J. Lewerenz
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15:30 |
O 20.3 |
Einfluss von Oberflächendefektphasen auf die Grenzflächeneigenschaften von Chalkopyrithalbleitern — •Thomas Schulmeyer, Andreas Klein, Robert Kniese und Michael Powalla
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15:45 |
O 20.4 |
Preferential carbon etching by hydrogen in voids of 6H-SiC(1000) — •Wulf Wulfhekel, D. Sander, M. Hanbücken, S. Nitsche, J.P. Palmari, F. Dulot, and F.A. d Avitaya
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16:00 |
O 20.5 |
Oscillations in a semiconductor - gas discharge systems with high-ohmic electrodes. — •E. L. Gurevich
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16:15 |
O 20.6 |
Oberflächen- und Grenzflächeneigenschaften von GaSe terminiertem Si(111) — •Thomas Schulmeyer, Rainer Fritsche, Bengt Jaeckel, Andreas Klein und Wolfram Jaegermann
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16:30 |
O 20.7 |
Surface electronic structure of cleaved 6H-SiC surfaces — •Massimo Tallarida, Ulrich Starke, Ashwani Kumar, Karsten Horn, Olaf Seifarth und Lutz Kipp
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16:45 |
O 20.8 |
Adsorbate chains of sodium on Ge(100) — •H. Pfnür, W. Ernst, C. Tegenkamp, K.L. Jonas, V. von Oeynhausen, and K.H. Meiwes-Broer
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17:00 |
O 20.9 |
Step structures on differently reconstructed ZnSe(001) surfaces — •W. Weigand, P. Bach, T. Schallenberg, C. Kumpf, W. Faschinger, M. Sokolowski, and E. Umbach
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17:15 |
O 20.10 |
Photoelektronenspektroskopische Untersuchungen an InN-Oberflächen — •Stefan Krischok, Marcel Himmerlich, Rastislan Kosiba, Gernot Ecke, Oliver Ambacher und Jürgen A. Schaefer
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17:30 |
O 20.11 |
A LEEM study of the Ge(001)-(2x1)-(1x1) phase transition; domain wall proliferation and dimer break-up — •Bene Poelsema, Esther van Vroonhoven, and Harold Zandvliet
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