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15:00 |
O 22.1 |
Morphologieabhängigkeit der Zerstäubungsausbeute beim streifenden Ionenbeschuss auf Pt(111) — •Henri Hansen, Celia Polop, Andreas Friedrich, Herbert Urbassek und Thomas Michely
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15:15 |
O 22.2 |
Influence of strain on surface diffusion. — •Vasily Cherepanov and Bert Voigtländer
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15:30 |
O 22.3 |
Wachstum, Struktur und thermische Stabilität ultradünner Titandioxidfilme auf Ru(0001) — •A. Männig, Z. Zhao, H. Rauscher und R.J. Behm
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15:45 |
O 22.4 |
Surface Diffusion in InAs/GaAs(001) Heteroepitaxy — •Sladjana Stojković, Evgeni Penev, Peter Kratzer, and Matthias Scheffler
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16:00 |
O 22.5 |
Kinetik der Bildung von Stapelfehlerinseln auf Ir(111) — •Carsten Busse, Ansgar Petersen und Thomas Michely
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16:15 |
O 22.6 |
Image-potential states on ultrathin nickel films on Cu(001) — •Martin Pickel, Jinxiong Wang, Anke Schmidt, Martin Weinelt, and Markus Donath
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16:30 |
O 22.7 |
X-ray structure analysis of the 2D dislocation network of Fe on W(110) — •R. Popescu, H. L. Meyerheim, D. Sander, P. Steadman, O. Robach, S. Ferrer, and J. Kirschner
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16:45 |
O 22.8 |
Stress and growth of Ag monolayers on a Fe(100) whisker — •Dirk Sander, R. Mahesh, S. M. Zharkov, and J. Kirschner
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17:00 |
O 22.9 |
Temperature induced changes of Ga/Si(111) surface reconstruction studied by STM — •Subhashis Gangopadhyay, Thomas Schmidt, and Jens Falta
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17:15 |
O 22.10 |
Wachstum von Ni auf Cu(110) mit Sauerstoff-Surfactant — •R. Nünthel, T. Gleitsmann, A. Scherz, P. Poulopoulos, Ch. Litwinski, H. Wende, Z. Li, C. Sorg und K. Baberschke
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17:30 |
O 22.11 |
Preparation and characterization of thin crystalline vanadiumoxide films on V75Ru25(110) — •Jürgen Middeke, Ralf-Peter Blum, Frank Balzer, and Horst Niehus
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17:45 |
O 22.12 |
Kinetics of the Single-Domain Formation During Si Homoepitaxy on vicinal Si(100) — •D. Thien, I. Dumkow, F.-J. Meyer zu Heringdorf, P. Kury, and M. Horn-von Hoegen
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18:00 |
O 22.13 |
Structural quality of ultra-thin silicon nitride films — •T. Clausen, Th. Schmidt, S. Gangopadhyay, J. Falta, S. Heun, L. Gregoratti, M. Kiskinova, and S. Bernstorff
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18:15 |
O 22.14 |
Characterisation of radiation induced 3D growth of Ge on Si(111)-7x7 — •Selvi Gopalakrishnan, H. Rauscher, M. Haupt, K. Thonke, R.J. Behm, and R. Sauer
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18:30 |
O 22.15 |
Uranium thin films: structural and electronic properties — •Mathias Getzlaff, Thorben Hänke, Luis Berbil-Bautista, and Roland Wiesendanger
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