Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 24: Postersitzung (Epitaxie und Wachstum, Oxide und Isolatoren, Elektronische Struktur, Oberfl
ächenreaktionen, Adsorption an Oberfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 24.11: Poster
Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–17:30, P1
Bildung einer Ni3Ga Oberflächenlegierung - eine STM, LEED und AES Untersuchung — •Yanka Jeliazova und René Franchy — Institut für Schichten und Grenzflächen (ISG 3) des Forschungszentrums Jülich, D-52425 Jülich
Die Diffusion von Ga auf einer Ni(100) Oberfläche und das Wachstum der Ni3Ga Oberflächenlegierung wurde mittels STM, AES und LEED untersucht. Dazu wurde die reine Ni(100) Oberfläche bei 300 K mit verschiedenen Mengen Ga (10%, 30% und 90%) bedampft und danach Schritt für Schritt angelassen. Ga wächst bei 300 K in 2D Inseln auf der Ni(100) Oberfläche. Anlassen bei 400 K führt zu einem Zusammenwachsen der Inseln aufgrund der Diffusion der Ga-Atome auf der Ni-Oberfläche. Über 400 K beobachtet man zusätzlich auch eine Diffusion der Ga-Atome in das Substrat hinein. Um eine Oberflächenlegierung herzustellen sind wir von eine Ni(100) Oberfläche ausgegangen, die bei 300 K mit ca. 90% Ga bedeckt war. Anlassen auf T ≥ 700 K führt zur Bildung einer α ′ - Ni3Ga Oberflächenlegierung. Das STM Bild zeigt ein quadratisches Gitter, aus dem die Gitterkonstante zu 3.8 ± 0.5 Å bestimmt wurde. Das LEED Bild zeigt eine (2 × 2) Struktur im Bezug auf die Ni(100) Oberfläche und entspricht dadurch einer (1 × 1) Struktur der α ′ - Ni3Ga(100) Oberfläche. Dabei wächst die (100) Fläche der α ′ - Ni3Ga Legierung parallel zur (100) Fläche des Substrates auf.