Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Postersitzung (Epitaxie und Wachstum, Oxide und Isolatoren, Elektronische Struktur, Oberfl
ächenreaktionen, Adsorption an Oberfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 24.13: Poster

Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–17:30, P1

Wachstum von dünnen Al₂O₃-Filmen unterschiedlicher Struktur auf Ni(111) — •Dirk Bansemir, Jan Haubrich, Conrad Becker und Klaus Wandelt — Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Bonn, Wegelerstrasse 12, 53115 Bonn

Die Struktur von Aluminiumoxidfilmen auf einer Ni(111)-Oberfläche wurde mittels LEED, UPS und AES im Bereich von 300K bis 1100K untersucht. Die Bildung eines Aluminiumoxidfilms ist nur auf einer oxidierten Ni(111)-Oberfläche möglich. Diese kann durch kurzes Tempern einer Sauerstoff-vorbelegten Ni(111)-Oberfläche erzeugt werden. Durch Deposition unterschiedlicher Mengen Aluminium und anschließendem Tempern lassen sich auf diesem NiO(111)-Film gezielt verschiedene Überstrukturen erzeugen. Bei geringem Aluminiumangebot und Tempern bei 975K bildet sich eine geordnete (5√3x5√3)R30^∘ Überstruktur mit einer Gitterkonstanten von 304 pm. Nach höheren Aluminiumbelegungen entwickelt sich ab 1050K eine Überstruktur, die der von Aluminiumoxidfilmen auf einer Ni₃Al(111)-Oberfläche entspricht [1]. Dies legt den Schluss nahe, dass sich nach höheren Aluminiumbedeckungen eine Schichtstruktur aus Al₂O₃ und Ni₃Al(111)-Oberflächenlegierung auf Ni(111) gebildet hat.
[1] C. Becker etl. al., J. Vac. Sci. Technol. A, 1998, 16, 1000-1005