Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Postersitzung (Epitaxie und Wachstum, Oxide und Isolatoren, Elektronische Struktur, Oberfl
ächenreaktionen, Adsorption an Oberfl
ächen, Organische Dünnschichten)

O 24.16: Poster

Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–17:30, P1

Rastertunnelmikroskopie an dünnen epitaktischen Cu-Filmen auf GaAs (110) — •Jan Müller, Martin Wenderoth, Norbert Quaas, Thilo C. G. Reusch und Rainer G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstraße 13, 37073 Göttingen

Dünne, bei 80K auf GaAs(110) aufgewachse Cu-Schichten bilden nach einem Annealing bei Raumtemperatur sowie bei 380 K epitaktisch glatte Filme. Verschiedene Schichtdicken wurden präpariert und mit Hilfe von Rastertunnelmikroskopie untersucht. Theoretische Vorhersagen zum elektronischem Wachstum auf GaAs(110), die bereits am System Ag auf GaAs(110) gezeigt worden sind, scheinen sich durch unsere Experimente auch für Cu-Schichten zu bestätigen [1][2]. Im Vergleich mit Ag auf GaAs zeigen diese Schichten aber bei Raumtemperatur eine deutlich höhere Langzeitstabilität. Die Filme wurden simultan mit ortsaufgelöster Rastertunnelspektroskopie untersucht und zeigen im Vertikaltransport Eigenschaften eines Metall-Halbleiter-Kontakts. Diese Arbeiten wurden von der DFG unterstützt (SFB 602, TP A3).

[1] A.R. Smith, K.-J.Chao, Q. Niu, C.K. Shih, Science 273, 226 (1996)

[2] Z. Zhang, Q. Niu, C.-K. Shih, Phys.Rev.Lett. 80, 5381 (1998)