Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 24: Postersitzung (Epitaxie und Wachstum, Oxide und Isolatoren, Elektronische Struktur, Oberfl
ächenreaktionen, Adsorption an Oberfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 24.4: Poster
Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–17:30, P1
Facettierung der polierten (100)-Oberfläche von CaF2 — •Michael Schick1, Volker Deuster2, Thomas Kayser1, Heinz Dabringhaus2, Helmut Klapper2 und Klaus Wandelt1 — 1Institut für Physikalische und Theorethische Chemie der Universität Bonn — 2Mineralogisches Institut der Universität Bonn
Die Facettierung der polierten (100)-Oberfläche von CaF2 nach Tempern und Wachstum aus der Dampfphase wurde im UHV mit Beugung langsamer Elektronen (LEED), Elektronenmikroskopie (TEM) und Atomkraftmikroskopie (AFM) untersucht. Erste morphologische Änderungen der getemperten Oberfläche wurden bei Temperaturen von 874 K sichtbar. Oberflächen, die bei 974 K getempert wurden, zeigten eine mikroskopische Aufrauhung mit pyramidalen Erhebungen und entsprechenden Vertiefungen.
Nach dem Wachstum von 663 Monoschichten CaF2 bei 1093 K und einem Sättigungsverhältnis von S=33 entwickelten sich größere pyramiden- und dachförmige Kristallite. Die Ergebnisse von AFM-Höhenprofilen und LEED-Untersuchungen zeigen die Ausbildung von (111)-Facetten, die unter einem Winkel von 54.7 Grad zur (100)-Oberfläche stehen. Diese Kristallite sind homoepitaktisch auf dem CaF2-Substrat aufgewachsen. Ein Wachstumsmodell der (100)-Fläche wird diskutiert.