Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 24: Postersitzung (Epitaxie und Wachstum, Oxide und Isolatoren, Elektronische Struktur, Oberfl
ächenreaktionen, Adsorption an Oberfl
ächen, Organische Dünnschichten)
O 24.6: Poster
Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–17:30, P1
Wachstum dünner Metallfilme auf MgO mit Surfactant CO — •M. Lust, A. Priebe, G. Fahsold und A. Pucci — Kirchhoff-Institut für Physik, Universität Heidelberg, Im Neuenheimer Feld 227, D-69120 Heidelberg
Das Wachstum dünner Kupfer- und Eisenfilme auf MgO(001) haben wir in situ mittels Infrarotspektroskopie untersucht. Dabei wurde CO im 10−8mbar Bereich am Anfang des Wachstums, durchgehend bzw. erst ab 1nm Dicke angeboten. Für Eisen sowie Kupfer nimmt bei durchgehendem CO-Angebot die Perkolationsschwelle ab und der metallische Charakter wird erhöht gegenüber Filmen, die ohne CO gewachsenen sind. CO nur während der Keimbildung angeboten bewirkt für Kupfer den stärksten Effekt in der Absenkung der Transmission. CO-Angebot erst zu einem späteren Zeitpunkt des Kupferfilm-Wachstums zeigt nur einen geringen Einfluss. Weiterhin wurde der Einfluss der Substratpräparation untersucht. Anhand der Infrarotspektren kann der unterschiedliche Einfluss einer erhöhten Keimdichte und des CO als Surfactant beobachtet werden. Auf den Ergebnissen aufbauend ist es gelungen, die Präparation von ultradünnen und kontinuierlichen Eisenfilmen zu optimieren. Morphologische Untersuchungen der Filme wurden mit AFM durchgeführt.