Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 9: Adsorption an Oberfl
ächen I
O 9.3: Vortrag
Montag, 24. März 2003, 15:30–15:45, FOE/ANOR
Adsorption von Sb und Wachstum von Ge auf Si(113) — •Michael Siebert1, Thomas Schmidt2, Jan Ingo Flege1 und Jens Falta2 — 1HASYLAB am DESY, Notkestraße 85, 22 603 Hamburg — 2Institut für Festkörperphysik, Uni Bremen, Postfach 330 440, 28 334 Bremen
Antimon gilt als aussichtsreiches Surfactant für die Epitaxie von Ge auf der Si(113)-Oberfläche. Zur Charakterisierung des Systems Sb/Si(113) wurden Substrate bei verschiedenen Temperaturen mit Sb bedampft und bei verschiedenen Sb-Bedeckungen Untersuchungen mit stehenden Röntgenwellenfeldern (XSW), LEED und STM durchgeführt. Die XSW-Messungen in (113)-, (111)- und (202)-Bragg-Geometrie zeigen, daß für geringe Bedeckungen Sb einen substitutionellen Adatomplatz einnimmt. Bei höheren Bedeckungen wird das Hinzukommen von bis zu vier weiteren Adsorptionsplätzen beobachtet, wobei eine (2×2)-Rekonstruktion auftritt. Anhand der ermittelten Daten werden Strukturmodelle für die Rekonstruktion bei hohen Bedeckungen vorgestellt. Weiterhin wurde das Wachstum von Ge/Sb/Si(113) untersucht. Es konnten geordnete Ge-Filme gewachsen werden, wobei das Sb zur Oberfläche segregiert.