Hannover 2003 – scientific programme

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Q: Quantenoptik

Q 21: Wellenleitung

Q 21.4: Talk

Tuesday, March 25, 2003, 14:45–15:00, F142

Phasenmasken für die analoge Proximity-Photolithographie mit Mask Alignern — •Tobias Erdmann, Matthias Cumme, Lars-Christian Wittig, Ernst-Bernhard Kley und Andreas Tünnermann — Friedrich-Schiller Universität Jena, Institut für Angewandte Physik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Vorgestellt wird ein Verfahren für die Herstellung kontinuierlicher und teilweise diskontinuierlicher Höhenprofile für mikrooptische Anwendungen auf der Basis der Photolithographie mit Mask Alignern. Der Vorteil dieses neuen Verfahrens ist die berührungslose Arbeitsweise, bei der folglich zwischen Maske und Substrat während des Belichtungsvorgangs kein Kontakt besteht. Dies wird mit Hilfe einer speziellen Phasenmaske erreicht, welche die Beleuchtungsintensitätsverteilung des Mask Aligners für die Belichtung des Photoresists umformt. Dadurch entsteht in einem definierten Abstand hinter der Phasenmaske eine definierte Intensitätsverteilung, die so genannte Belichtungswelle, mit welcher der Photoresist belichtet wird. Das Ergebnis nach der Entwicklung des belichteten Photoresists ist ein kontinuierliches Höhenprofil, dessen Gestalt hauptsächlich von der Intensitätsverteilung der Belichtungswelle abhängt. Die Phasenmasken für dieses Verfahren wurden mit Hilfe von Verfahren berechnet, welche auch für die Berechnung von Laserstrahlformungselementen eingesetzt werden. Die mit diesem Verfahren berechnen Phasenmasken wurden anschließend mit Hilfe des variable dose writings, einer speziellen Elektronenstrahlschreibtechnik, hergestellt. Anhand der hergestellten Phasenmasken erfolgte die Verifizierung des Verfahrens.