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Q: Quantenoptik

Q 48: Poster: Fallen und Kühlung

Q 48.6: Poster

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–18:30, Lichthof

Photoionisation von Indium — •P. Eckle, Ch. Schwedes, J. von Zanthier, A. Yu. Nevsky und H. Walther — Max-Planck-Institut für Quantenoptik, Hans-Kopfermann-Str.1, 85748 Garching

Einen äußerst aussichtsreichen Kandidaten für einen optischen Frequenzstandard stellt ein einzelnes In⁺ Ion dar, das in einer RF-Falle gespeichert ist. Die bisher verwendete Methode der Ionisierung von Indium durch Elektronenstoß soll durch eine zweistufige Photoionisation ersetzt werden. Dazu werden zwei gitterstabilisierte Diodenlaser bei 410 und 448 nm aufgebaut. Mit dem ersten wird das Indiumatom vom Grundzustand in den 6s ²P_1/2 Zustand angeregt, anschließend regt der zweite Laser das Atom in einen hohen Rydbergzustand an. Der Übergang ins Kontinuum erfolgt dann durch das Fallenfeld.

Diese Technik besitzt eine deutlich höhere Effizienz als das Elektronenstoßverfahren, wodurch die Bedampfung der Falle erheblich reduziert werden kann. Außerdem wird die Bildung von Hintergrundladungen unterdrückt. Über die jüngsten Resultate wird berichtet.