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T: Teilchenphysik

T 203: Halbleiterdetektoren III

T 203.4: Vortrag

Dienstag, 30. März 2004, 14:45–15:00, HS I

Temperaturverhalten und Strahlenhärte von Monolithic Active Pixel Sensoren — •M. Deveaux^1,2, A. Besson¹, G. Claus³, C. Colledani³, G. Deptuch³, W. Dulinski³, A. Gay¹, G. Gaycken¹, Yu. Gornushkin¹, D. Grandjean¹, A. Himmi¹, Ch. Hu¹, I. Valin¹ und M. Winter¹ — ¹IReS, IN2P3/ULP, F-67037 Strasbourg — ²GSI, D-64291 Darmstadt — ³LEPSI, IN2P3/ULP, F-67037 Strasbourg

Die Möglichkeiten der experimentellen Hochenergiephysik werden nicht zuletzt durch die Leistungsfähigkeit der Vertexdetektoren bestimmt. Um sie zu erweitern, wurden Teilchendetektoren auf Basis von Monolithic Active Pixel Sensoren (MAPS) entwickelt, einer Technik, die eine attraktive Kombination aus hoher Granularität und niedrigem Materialbudget bei einer guten Auslesegeschwindigkeit und Strahlenhärte bietet. Dies konnte u.a. mit einem nur ∼ 100 µm dicken Prototypen mit 1 MegaPixel demonstriert werden, der am CERN-SPS eine Detektionseffizienz von über 99% und eine Single-Point-Resolution von ∼ 2 µm erreichte.

Begleitendend wurden Strahlenhärte und optimale Betriebstemperatur der MAPS untersucht. Ein Überblick über die bisherigen Ergebnisse dieser Untersuchungen wird gegeben.