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T: Teilchenphysik

T 203: Halbleiterdetektoren III

T 203.5: Vortrag

Dienstag, 30. März 2004, 15:00–15:15, HS I

Untersuchung lokaler Streifenfehler bei Siliziumsensoren für das CMS Experiment — •S. Freudenstein, P. Blüm, A. Furgeri, F. Hartmann, J. Junge, C. Menge, Th. Müller, T. Punz und P. Steck — Institut für Experimentelle Kernphysik, Universität Karlsruhe (TH)

Bei der Qualitätskontrolle des CMS werden Siliziumsensoren mit untypische IV- Kurven beobachtet, die durch einen hohen Leckstrom und ein erneutes lineares Ansteigen der IV- Kurve bei höheren Spannungswerten charakterisiert sind. Aus der Höhe des zusätzlichen Anstiegs kann man auf die maximale Anzahl der Leckstreifen schließen, da sich der zusätzliche Leckstrom in diesem Fall nicht über den gesamten Sensor verteilt, sondern auf einzelne Streifen beschränkt.
In dem Vortrag sollen diese lokalen Effekte näher beleuchtet werden.
Häufig können sichtbare Defekte an der Sensoroberfläche, z.B. Kratzer, diesen Streifen mit erhöhtem Strom zugeordnet werden.
Zum Teil kommen die Streifen mit erhöhtem Leckstrom erst bei mechanischen Spannungen oder erhöhter Versorgungsspannung an den Sensoren zum Vorschein. In vereinzelten Fällen sind die Ströme so hoch, daß sie zur Sättigung eines ganzen Vorverstärkers der Ausleseelektronik führen.
Ergebnisse zu diesen Untersuchungen werden vorgestellt.