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T: Teilchenphysik

T 601: Halbleiterdetektoren VII

T 601.4: Vortrag

Donnerstag, 1. April 2004, 11:25–11:40, RW 3

Messungen an DEPFET-Doppelpixeln und kleinen Matrizen für einen Pixelvertexdetektor bei TESLA — •R. Kohrs¹, L. Andricieck², P. Fischer³, M. Harter³, M. Karagounis¹, H. Krüger¹, G. Lutz², I. Peric¹, R.H. Richter², L. Strüder², J. Treis², M. Trimpl¹, J. Ulrici¹ und N. Wermes¹ — ¹Universität Bonn, Physikalisches Institut, Nußallee 12, 53115 — ²MPI Halbleiterlabor, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München — ³Universität Mannheim, Technische Informatik, D7, 68131

DEPFET-Sensoren sind neuartige Pixelsensoren, die durch die Integration der ersten Verstärkerstufe in jeden einzelnen Sensorpixel besonders niedrige Rauschwerte aufweisen. Die Signalelektronen werden in einem Bereich unter dem Transistorkanal (im sog. Internen Gate) gesammelt und modulieren so den Transistorstrom. Aktuelle DEPFET-Sensoren, die speziell an die Anforderungen im TESLA Linearbeschleuniger angepasst wurden, sind 2003 produziert und getestet worden. Charakteristische Änderung im neuen Layout sind rechteckige, ca. 20 x 25 µ m² kleine Pixel, die als p-Kanal MOSFETs realisiert worden sind. Messungen an Doppelpixeln zeigen ein sehr geringes Rauschen von ENC < 10 e⁻ und die Möglichkeit, das Interne Gate vollständig zu leeren. Diese und weitere Messungen werden vorgestellt.