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T: Teilchenphysik

T 601: Halbleiterdetektoren VII

T 601.5: Vortrag

Donnerstag, 1. April 2004, 11:40–11:55, RW 3

Technologie zur Herstellung dünner Sensoren für Experimente an zukünftigen Linearbeschleuniger — •L. Andricek¹, P. Fischer², M. Harter², R. Kohrs³, H. H. Krüger³, G. Lutz¹, M. Karagounis³, R.H. Richter¹, M. Porro¹, I. Peric³, J. Treis¹, M. Trimpl³ und N. Wermes³ — ¹MPI Halbleiterlabor, München — ²Universität Mannheim — ³Universität Bonn

Zurzeit wird im Halbleiterlabor des MPI für Physik eine neue Generation von DEPFET-Sensoren mit 25 um Pixelgröße entwickelt, die den Anforderungen in der Einzelpunktauflösung und in der Separation von mehrfachen Spuren bei Experimenten an zukünftigen Linearbeschleunigern gerecht wird. Zur Optimierung der Auflösung im "impact parameter" müssen die Sensoren so dünn wie möglich gemacht werden, um den Beitrag der Vielfachstreuung durch das Sensormaterial zu minimieren. Wir präsentieren hier eine Technologie, basierend auf direktem Waferbonding und anisotropem tiefen Ätzen, zur Herstellung von aktiven Pixelsensoren auf vollkommen verarmtem Substrat und strukturiertem Rückseitenimplant. PiN-Dioden auf 50 um dünnem Substrat wurden auf diese Weise hergestellt und die Ergebnisse zeigen die Machbarkeit dieser Technologie. Die Technologie ist für die Herstellung dünner DEPFET-Matrizen entwickelt worden, läßt sich aber für alle Sensoren mit elektrisch aktiver Rückseite anwenden (Streifendetektoren, Pad-Detektoren u.a.). Ein integrierter Rahmen zur Unterstützung der dünnen Sensormembran erlaubt die sichere Handhabung und Weiterverarbeitung der dünnen Bauteile zu komplexen Modulen für den Einsatz im Experiment.