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Q: Quantenoptik und Photonik
Q 3: Nichtlineare optische Effekte und Lichtquellen I
Q 3.4: Vortrag
Montag, 22. März 2004, 14:45–15:00, HS 204
Messung der nichtlinearen optischen Eigenschaften von LT-GaAs mittels fs-z-Scan — •Volker Raab1, Jens Herfort2 und Ralf Menzel1 — 1Universität Potsdam — 2Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin
Mit Hilfe der z-Scan-Technik werden bei verschiedenen Temperaturen am Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik gewachsene Proben von LT-GaAs (Low-Temperature-Grown Gallium-Arsenid) untersucht. Durch diese Wachstumsbedingungen bilden sich nicht-stöchiometrische Inseln, die zusätzliche Niveaus in der Bandlücke generieren. Dadurch findet Relaxation außerordentlich schnell statt, wodurch sich das Material für ultraschnelle nichtlineare Prozesse, beispielsweise in Kurzpulslasern eignet. Die nichtlinearen Koeffizienten für Brechungsindex und Absorption wurden von uns direkt in Abhängigkeit von den Wachstumsbedingungen gemessen.
Zum Einsatz kommt die Z-Scan-Technik mit Femtosekunden-Laserpulsen von 140 fs Dauer. Das Licht wird mittels eines optisch parametrischen Verstärkers auf eine Wellenlänge von etwa 1100 nm, also unterhalb der Bandlücke von GaAs gewandelt. Da die Proben mit 5 µm äußerst dünn sind, sind die Signale schwer zu messen. Ein experimenteller Vergleich von fünf bei unterschiedlichen Temperaturen gewachsenen Proben wird vorgestellt.
(gefördert durch die DFG)