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Q: Quantenoptik und Photonik

Q 52: Postdeadline

Q 52.4: Vortrag

Donnerstag, 25. März 2004, 20:30–20:40, HS 225

Femtosekunden-Laser induzierte Wellenleitung in Ti3+-aktiviertem Saphir — •Markus Pollnau¹, Vasileios Apostolopoulos¹, Laetitia Laversenne¹, Roberto Osellame², Giulio Cerullo² und Paolo Laporta² — ¹Swiss Federal Institute of Technology, Advanced Photonics Laboratory, Lausanne, Switzerland — ²Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Italy

Wir zeigen erstmals, dass die gezielte Dotierung eines Saphir-Kristalls mit einem geeigneten, optisch aktiven Ion die Schwelle fuer das Auftreten struktureller Veraenderungen nach Anwendung ultrakurzer Lichtpulse in signifikanter Weise reduziert und so das Schreiben von dreidimensionalen Wellenleiter-Strukturen ermoeglicht. Die Wellenleitung tritt in einer der Struktur-Veraenderung benachbarten Region auf, was auf eine Stress-induzierte Erhoehung des Brechungsindex schliessen laesst. Wir haben passive und aktive Kanal-Wellenleitung in Ti3+-dotiertem Saphir demonstriert und die gefuehrten Moden und Lumineszenz-Spektren untersucht. Die Brechungsindex-Aenderungen wurden mittels digitaler Holographie vermessen. Gezielte Dotierung mit optisch aktiven Ionen koennte die Femtosekunden-Laser-Bearbeitung und das Schreiben von Wellenleitern in vielen kristallinen Materialien ermoeglichen.