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Q: Quantenoptik und Photonik

Q 9: Festkörper- und Halbleiterlaser

Q 9.8: Vortrag

Montag, 22. März 2004, 18:15–18:30, HS 218

GaSb–basierende Diodenlaser im externen Resonator um 2130 nm — •Ulf Henning Jacobs¹, Karsten Scholle¹, Ernst Heumann¹, Marcel Rattunde², Joachim Wagner² und Günter Huber¹ — ¹Institut für Laser–Physik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg — ²Fraunhofer–Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastraße 72, 79108 Freiburg

GaSb–basierende Diodenlaser emittieren bei Raumtemperatur im Wellenlängenbereich von 1900–2400 nm und stellen insbesondere für Spektroskopieanwendungen aufgrund der erreichbaren cw–Ausgangsleistungen von z. Z. bis zu 1,7 W eine leistungsfähige und kostengünstige Alternative zu den bisher verwendeten Thulium bzw. Holmium Festkörperlasern sowie den Bleisalzlasern dar. Neben der Realisierung einer leistungsstarken Spektroskopielaserquelle war auch die Entwicklung einer Seedquelle für atmosphärische Freistrahlanwendungen im augensicheren Spektralbereich Motivation für die hier vorgestellten Experimente.

Um einen stabilen single–mode Betrieb zu gewährleisten, erfolgt der Betrieb der Diodenlaser in einem externen Resonator mit zwei Intracavity–Etalons. In Littrow–Konfiguration erreichten wir die höchsten Ausgangsleistungen von bis zu 6,4 mW bei einer Wellenlänge von 2131 nm und einer Linienbreite von 375 MHz. Der Durchstimmbarkeitsbereich des Systems beträgt 45 nm.