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DF: Dielektrische Festkörper

DF 5: Poster

DF 5.11: Poster

Mittwoch, 10. März 2004, 14:30–18:00, Poster C

Temperaturabhängigkeit der Quadrupolwechselwirkung für 111-In in Saphir — •J. Penner und R. Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14–16, 53115 Bonn

Temperaturabhängige Messungen der Hyperfeinwechselwirkung der ¹¹¹In Sonde in Saphir zeigen, dass nach der Implantation mit ¹¹¹In und Ausheilen bei 1000 ^∘C der ungestörte Anteil f_u reversibel zwischen 50% bei 4K, 5% bei 100K und 80% bei 973K schwankt.

Als mögliche Erklärung des Verhaltens bietet sich das Auftreten eines sogenannten "after effects" nach dem EC-Zerfall des ¹¹¹In zu ¹¹¹Cd an. Dabei ensteht zunächst ionisiertes ¹¹¹Cd das anschließenden durch Aufnahme von Elektronen aus der Umgebung in den Grundzustand übergeht. Die dazu notwendige Elektronen erreichen das Cd Ion bei höheren Temperaturen durch sogenannte Hüpfprozesse (inkohärentes Tunneln) und bei tiefen Temperaturen durch kohärentes Tunneln.

Zur Bestätigung dieses Modells sind Messungen mit ^111mCd in Al₂O₃ geplant.