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DS: Dünne Schichten
DS 1: Ionenimplantation I
DS 1.4: Vortrag
Montag, 8. März 2004, 10:15–10:30, HS 31
Monte-Carlo-Simultation der Selbstorganisation amorpher nanometrischer SiCx-Ausscheidungen in Silizium während C+-Ionen-Implantation — •F. Zirkelbach, M. Häberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, Universitätsstrasse 1, D-86135 Augsburg
Die Implantation von C+-Ionen in Si mit hoher Dosis resultiert bei hinreichend niedrigen Temperaturen (Ti ≤ 400∘C) in der Bildung amorpher SiCx-Ausscheidungen. Diese ordnen sich mit regelmäßigen Abständen an und können sich zu amorphen Lamellen von wenigen nm Dicke verbinden, wodurch sich eine Stapelung von wenigen nm dicken amorphen und kristallinen Schichten ergibt. Dieser auch in anderen Materialsystemen [1,2] beobachtbare Effekt wird auf die Übersättigung mit Fremdatomen, gefolgt von Ausscheidungsbildung und Spannungen in der Umgebung der Ausscheidungen zurückgeführt.
Um diesen Selbstorganisationsprozess zu beschreiben wurde ein Monte-Carlo-Simulationscode entwickelt, der Keimbildung, Wachstum, Diffusion, Amorphisierung und Rekristallisation berücksichtigt. Erste Ergebnisse werden vorgestellt und mit elektronenmikroskopischen Daten verglichen.
[1] A.H. van Ommen, NIM B 39 (1989) 194
[2] J.K.N. Lindner, Appl. Phys. A 77 (2003) 27