Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 11: Schichteigenschaften I

DS 11.1: Hauptvortrag

Mittwoch, 10. März 2004, 14:30–15:15, HS 31

InGaAsN als aktives Material für langwellige oberflächenemittierende Laser — •Henning Riechert — Infineon Technologies, Corporate Research Photonics, 81739 München

Oberflächenemittierende Laser (VCSELs = vertical cavity surface emitting lasers) mit einer Emissionswellenlänge von 1300 nm sind ideal geeignet als kostengünstige Lichtquellen zur Datenübertragung über optische Fasern. Der derzeit vielversprechendste Ansatz zur Realisierung solcher Bauelemente liegt in der Nutzung der konventionellen GaAs/AlAs VCSEL-Technologie, kombiniert mit der neuartigen Legierung InGaAsN als aktivem Material.

Der Vortrag gibt einen Überblick über das Wachstum und die physikalischen Eigenschaften von InGaAsN / GaAs QWs sowie über den Stand und die momentanen Grenzen von InGaAsN-basierenden Lasern.