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DS: Dünne Schichten

DS 12: Schichteigenschaften II

DS 12.4: Vortrag

Mittwoch, 10. März 2004, 16:00–16:15, HS 31

Optimierung der Leitfähigkeit einer dünnen Silberschicht — •Achim Breitling, Oliver Kappertz, Selvaraj Venkataraj, Henning Dieker und Matthias Wuttig — I.Physikalisches Institut, RWTH-Aachen, 52056 Aachen

Transparente Silberschichten (Größenordnung 10nm) mit einer möglichst hohen Leitfähigkeit sind für verschiedene technische Anwendungen (z.B. organische LEDs) von äußerst großer Bedeutung. Daher haben wir den elektrischen Widerstand von Silberschichten als Funktion der Schichtdicke auf unterschiedlichen Substraten bestimmt. Anschließend wurden die Silberschichten auf verschiedene Eigenschaften wie spezifischer Widerstand, Ladungsträgerbeweglichkeit und Textur mittels 4-Punkt-Widerstandsmessungen, Röntgenreflektometrie (XRR) und -diffraktometrie (XRD) bzw. Ellipsometrie untersucht. Dabei zeigt sich, dass sich die Silberleitfähigkeit durch Bufferschichten drastisch verändern lässt. Als Kandidaten für die Bufferschicht wurden verschiedene Metalloxide bzw. -nitride verwendet, die mittels reaktivem DC Magnetronsputterns hergestellt wurden. Für einige der Buffermaterialien wurde bei der Silberschicht eine gegenüber dem bufferschichtfreien Fall sehr viel höhere spezifische Leitfähigkeit beobachtet. Es werden Modelle vorgestellt, die die Eigenschaften der Silberschicht bzw. der Bufferschicht mit dem beobachteten Verhalten verknüpfen.