Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 12: Schichteigenschaften II

DS 12.5: Vortrag

Mittwoch, 10. März 2004, 16:15–16:30, HS 31

Elektromigration in Gold-Nanodrähten — •Burkhard Stahlmecke und Günter Dumpich — Experimentalphysik, AG Farle, Universität Duisburg-Essen, Standort Duisburg, Lotharstraße 1, 47057 Duisburg

Die Untersuchung von Elektromigrationseffekten ist industriell aufgrund der sich weiter verkleinernden Strukturen wichtig, da die Elektromigrationsschäden den Hauptgrund für das Versagen von integrierten Bauteilen darstellen. Gleichzeitig sind die grundlegenden physikalischen Prozesse, die zum Versagen einer Leiterbahn führen, bislang noch nicht vollständig verstanden. Gold-Leiterbahnen mit Breiten im Nanometerbereich wurden mittels Elektronstrahllithographie hergestellt und so kontaktiert, daß im Rasterelektronenmikroskop (SEM) in-situ Widerstandsmessungen vorgenommen werden konnten. Diese Methode bietet den Vorteil, die Bildung und das Wachstum der sogenannten "Voids" dynamisch in Echtzeit vorfolgen zu können. Die gleichzeitig aufgenommenen Strom-Spannungs-Kennlinien bzw. Widerstands-Zeit-Kennlinien zeigen ein charakteristisches Verhalten in Abhängigkeit der Stromstärke und der Leiterbahnparameter. Die Messungen wurden sowohl mit eingeprägtem Strom wie auch mit eingeprägter Spannung durchgeführt. Bei typischen Stromdichten von einigen 10⁸ Acm⁻² kann die Bildung von "Voids" und "Hillocks" systematisch untersucht werden.

Gefördert durch die DFG im Rahmen des SFB 616.