Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
DS: Dünne Schichten
DS 18: Schichtherstellung III
DS 18.6: Vortrag
Donnerstag, 11. März 2004, 18:00–18:15, HS 31
Charakterisierung und Herstellung von Ba(Ti1−yZry)O3 (BTZ) durch Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) — •Jochen Puchalla — Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Festkörperforschung (IFF), 52425 Jülich
Keramische hoch-epsilon Dünnschichten sind Gegenstand von Untersuchungen zur Ersetzung von SiO2 als Dielektrikum in integrierten Schaltkreisen, um die Dimensionierung der Bauelemente weiter reduzieren zu können. Mögliche Anwendungen sind zukünftige Gbit DRAM Schaltkreise und modulierbare Mikrowellenbauelemente, der industriell favorisierte Depositionsprozess ist die Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD). Dünne Schichten aus Ba(Ti1−yZry)O3 (BTZ) aus CSD- oder Sputter-Anlagen zeigen interessante elektrische Eigenschaften, die den Anforderungen an integrierte Kondensatorstrukturen gewachsen sind.
In der Arbeit wird BTZ mit der Hilfe der Metallorganischen Chemischen Gasphasenabscheidung hergestellt, welche kompatibel zu heutigen State-of-the-art Integrationsprozessen ist und sich aussergewöhnlich gut für konformes 3D-Wachstum eignet. In einem AIX-200 Horizontalreaktor an einem TriJet™ Verdampfermodul werden BTZ-Schichten auf einem Pt/Si-Wafer abgeschieden. Besonderes Augenmerk liegt auf den Zusammenhängen zwischen den Prozessbedingungen und den Schichteigenschaften wie Stöchiometrie, Textureffekte und Oberflächenbeschaffenheit. Weitere Untersuchungen gelten der elektrischen Charakterisierung und den Beziehungen zwischen physikalisch-chemischen Eigenschaften und der elektrischen Response der Schicht.