DS 20: Dünne Schichten für die Photovoltaik II
Donnerstag, 11. März 2004, 14:30–15:45, HS 32
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14:30 |
DS 20.1 |
Photolumineszenz von epitaktischem Dünnschichtsilizium in unterschiedlichen Wachstumstemperatur-Regimen — •Kai Petter, Björn Rau, Klaus Lips und Walther Fuhs
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14:45 |
DS 20.2 |
Polykristalline Siliziumschichten auf metallbeschichten Glassubstraten — •Kati Hübener, Stefan Gall, Martin Muske, Jens Schneider und Walther Fuhs
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15:00 |
DS 20.3 |
Ultrathin hydrogenated amorphous silicon layers on crystalline silicon: a-Si:H gap state density distribution and a-Si/c-Si interface properties — •Lars Korte, Klaus Kliefoth, Abdelazize Laades, and Manfred Schmidt
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15:15 |
DS 20.4 |
Metal organic molecular beam epitaxy (MOMBE) of CuInS2 on Si(111) — •Carsten Lehmann, Wolfram Calvet, and Christian Pettenkofer
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15:30 |
DS 20.5 |
8% efficient CuInS2 (CIS) solar cells with electrochemically removed Cu-S-phases — •Thomas Wilhelm, Baptiste Berenguier, Mohammed Aggour, Mirko Gaul, Momme Winkelkemper, Michael Kanis, Eder Goncalves, Helmut Jungblut, and Hans-Joachim Lewerenz
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