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DS: Dünne Schichten

DS 21: Dünne Schichten für die Photovoltaik III

DS 21.3: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 16:15–16:30, HS 32

Modifikation elektronischer und chemischer Eigenschaften von TiO₂ - Oberflächen durch Abscheidung extrem dünner oxidischer und sulfidischer Schichten — •H.-J. Muffler, A. Belaidi, M. Vogel, T. Guminskaya, Ch.-H. Fischer und Th. Dittrich — Hahn-Meitner-Institut, SE2, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, Germany

Mittels des ILGAR (ion layer gas reaction) Verfahrens wurden extrem dünne hydroxidische (Al(OH)₃, oxidische (Al₂O₃) und sulfidische (In₂S₃, Cu_xS) Schichten auf dünne TiO₂ Schichten abgeschieden. Die TiO₂ - Schichten wurden im sol - gel - Verfahren (sglux GmbH) hergestellt. Die Charakterisierung der Proben erfolgte nach Beschichten und Tempern in Luft bzw. in Ar/H₂S - Atmosphäre mit XPS, Kelvin-Sonden und transienter und spektraler Photospannung. Je nach Oberflächenbehandlung variiert die Austrittsarbeit um bis zu 0.6 V und wechselt die Photospannung das Vorzeichen. Die Entstehung von Volumendefekten im TiO₂ nach Tempern in H₂S wird durch Aufbringen von Al₂O₃ stark unterdrückt. Die Korrelation zwischen elektronischen und chemischen Eigenschaften wird diskutiert.