Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 22: Postersitzung

DS 22.10: Poster

Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B

Phasenbildung in dünnen Ni/C- und Ni/Ti-Doppelschichten auf Si(001) — •Lutz Budzinski, A. Mogilatenko, O. Filonenko, G. Beddies und H.-J. Hinneberg — Technische Universität Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz

Mit der weiteren Verringerung der Dimensionen mikroelektronischer Bauelemente ist für die Realisierung extrem flacher Kontakte auch eine Verringerung des Siliciumverbrauchs bei der Bildung der Siliciumkontaktschichten erforderlich. Nickelmonosilicid stellt daher zu den bisher eingesetzten Disiliciden eine echte Alternative da. Limitiert wird der Einsatz des Nickelmonosilicides noch durch dessen begrenzte thermische Stabilität.

Durch Magnetronsputtern wurden Ni/C- und Ni/Ti-Doppelschichten auf Si(001)-Substraten abgeschieden und mittels Kurzzeittemperung (N₂, 30 s, 450 ^∘C bis 1000 ^∘C) thermisch nachbehandelt. Zur Charakterisierung der so gebildeten Silicidschicht wurden RBS-, XRD-Messungen, REM- und TEM-Untersuchungen, sowie Messungen des spezifischen elektrischen Widerstandes durchgeführt. Es wurde der Einfluss von Kohlenstoff und Titan auf die thermische Stabilität des Nickelmonosilicides auf Si(001) untersucht.