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DS: Dünne Schichten
DS 22: Postersitzung
DS 22.11: Poster
Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B
Einfluss vo C und Ti auf die Silicidbildung dünner Co-Schichten auf Si(001) — •P. Simon, F. Allenstein, H. Hortenbach, A. Mogilatenko, O. Filonenko, G. Beddies und H.-J. Hinneberg — Technische Universität Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz
Für die Realisierung des Leitbahn- und Kontaktsystems hochintegrierter mikroelektronischer Bauelemente werden gegenwärtig polykristalline Silicidschichten eingesetzt. Mit der weiteren Zunahme der Integrationdichte und der damit verbundenen Verringerung der Bauelementedimensionen werden auch extreme Anforderungen an die Grenzflächenrauhigkeit der Kontakte gestellt. Epitaktisch auf Si(001) gewachsene CoSi2-Schichten haben den Vorteil der Bildung atomar glatter Grenzflächen. In [1] wurde gezeigt, dass ein geringer C-Gehalt in Si-Substraten die Co-Silicidreaktion stark beeinflusst und zu einem teilweise epitaktischen Wachtum führt.
Es wurde der Einfluss dünner (0 bis 4 nm) C-Barrieren sowie Ti-Deckschichten (0 bis 20 nm) auf die Co-Si(001)-Reaktion untersucht. Die erforderlichen Schichtabscheidungen erfolgten durch Elektronenstrahlverdapfung (Ti, Co, Si) und Sublimation (C) im UHV auf Si(001). Die thermische Behandlung (450 ∘C bis 1050 ∘C, 30 s, N2) der Proben erfolgte in einer RTA-Anlage. Zur Charakterisierung der so gebildeten Silicidschichten wurden RBS-, XRD-Messungen, REM- und TEM-Untersuchungen, sowie Messungen des spezifischen Widerstandes durchgeführt.
[1] S. Teichert et. all, Micro. Eng. 50 2000 193