Regensburg 2004 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 22: Postersitzung

DS 22.13: Poster

Tuesday, March 9, 2004, 14:30–17:00, Poster B

Hochdosis-Magnesium-Implantation in Silizium — •M. Häberlen¹, W. Y. Cheung², J. K. N. Lindner¹, S.P. Wong² und B. Stritzker¹ — ¹Institut für Physik, Universität Augsburg, Universitätsstrasse 1, D-86135 Augsburg — ²Department for Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong, China

Die Bildung binärer Siliziumverbindungen durch Hochdosis-Implantation wurde in den vergangenen Jahren intensiv untersucht. Insbesondere die Bildung von Ausscheidungen mit kubischer Kristallstruktur, die entweder sehr gut (z.B. NiSi₂ und CoSi₂), oder nur bei großem negativem Misfit (3C-SiC) in das Wirtsgitter passen, wurde dabei intensiv studiert. Wenig bekannt ist über die Bildung und Eigenschaften von Alkali-Metallsiliziden. Magnesium bildet als einzige stabile Phase das kubische Mg₂Si, mit einem Misfit von +17 % gegenüber c-Si.

Die Bildung Magnesium-reicher Phasen noch Hochdosis-Mg-MEVVA-Implantation bei Temperaturen zwischen 200 ^∘C und 350 ^∘C wurde systematisch mittels RBS, XRD, XTEM und EDX untersucht.