Regensburg 2004 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 22: Postersitzung

DS 22.2: Poster

Tuesday, March 9, 2004, 14:30–17:00, Poster B

MOVPE von A^IIIB^V-Verbindungen auf Ge-Substraten — •Sebastian Scholz¹, Helmut Herrnberger¹, Volker Gottschalch¹ und Dietmar Hirsch² — ¹Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — ²Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V, Permoserstr. 15, 04303 Leipzig

Der Einsatz von Ge-Substraten ist für die Applikation von Mehrschichtsolarzellen auf A^IIIB^V-Basis von besonderem Interesse.

Mit der LP-MOVPE wurden im Standardsystem (TMGa, AsH₃) GaAs-Schichten unterschiedlicher Dicken auf (100)- und fehlorientierten Ge-Substraten mit dem Ziel der Baufehlerminimierung abgeschieden. Das Studium des Wachstums, und speziell des Anfangswachstums, erfolgte bei Variation des V/III-Verhältnisses, der Züchtungstemperatur und der Wachstumsrate. Zur strukturellen Charakterisierung des epitaktischen Materials wurden AFM-, Röntgen-, TEM-Messungen und die chemische Ätztechnik eingesetzt. GaAs-Schichten mit guter Oberflächenmorphologie und Monolagenstufen wurden im Temperaturbereich von 650 bis 700 ^∘C bei einem optimalen V/III-Verhältnis gezüchtet.