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DS: Dünne Schichten
DS 22: Postersitzung
DS 22.3: Poster
Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B
Herstellung von AIIIBV Nanoröhren aus epitaktischen Dünnschichtsystemen — •Ole Lühn, Jens Bauer, Helmut Herrnberger und Volker Gottschalch — Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig
Planare Schichtfolgen von (BGa)As/(GaIn)As auf GaAs und (AlIn)As/(GaIn)As auf InP mit definierter Spannungsverteilung und Schichtdicken im nm-Bereich dienten zur Herstellung von AIIIBV Nanoröhren. Durch materialselektives Ätzen der verschiedenen Opferschichten (AlAs, (GaIn)P, InP) erfolgte die Röllchenbildung.
Die planaren Schichtkombinationen wurden mittels MOVPE hergestellt und die Spannungs- und Schichtdickenverhältnisse mittels Doppelkristalldiffraktometrie und Transmissionselektronenmikroskopie bestimmt.
Die Charakterisierung der hergestellten Nanoröhren erfolgte mit der Rasterelektronenmikroskopie und der Kathodolumineszenz.
Erste optische Untersuchungen an (BGa)As/(InGa)As Nanoröhren weisen im Vergleich zu planarem Material eine Rotverschiebung infolge Spannungsabbaus auf.